Kako zmanjšati izgube, ki jih diode uvajajo v oblikovanju komunikacijskega vezja?

一, Optimizacija ravni naprave: natančno ujemanje značilnih parametrov
1. izbira naprav z nizko napetostjo
V nizkih - scenarijih napajanja napetosti so Schottky diodi prednostna izbira zaradi njihovega ultra - nizko napetostne padce 0,15-0,45 V. Napajanje določene vrste osnovne postaje LTE sprejme MBR2045CT SCHOTTKY DIODE (VF)=0.38 V@2A) Po zamenjavi IN4007 silicijeve diode se je učinkovitost rektifikacije povečala z 88% na 92%, kar je prihranilo več kot 10000 juanskih stroškov električne energije. Za uporabo višje frekvence lahko silicijev karbid Schottky diode (SIC SBD) še vedno vzdržujejo napetostni padec 0,7 V pri stikalni frekvenci 200KHz, kar je 40% nižje od silicijevih naprav.
2. aplikacija za hitro obnovitev
V sekundarnem rektifikacijskem vezju stikalnega napajanja hitro obnovitev (FRD) znatno zmanjša izgube preklopa s skrajšanjem časa obratnega obnovitve (TRR =50-200 ns). Določena vrsta 48V/12V komunikacijske napajanja sprejme C3D06060A SIC MOSFET Sinhrona shema popravljanja<35ns, making the power efficiency exceed 96%, which is 4 percentage points higher than the traditional silicon scheme.
3. Zasnova temperature kompenzacije
V vezju pristranskosti fotodiodov, padec napetosti in temperaturni premik vodita do razpadanja občutljivosti za sprejem. Uporaba AT40QL022 TEMPERATURNI SENSOR in omrežje uporovnega upora za izdelavo kompenzacijskega vezja, napetost PD niha<0.05V within the temperature range of -40 ℃ to+85 ℃, the stability of receiving sensitivity is improved by 0.3dB, and the transmission distance is extended by 2.3 kilometers.
2, Inovacija ravni vezja: rekonstrukcija poti pretvorbe energije
1. Preboj v sinhroni tehnologiji za odpravljanje
Tradicionalna rekvizija diode ima fiksni padec napetosti 0,7 V, medtem ko sinhrona rektifikacija namesto tega uporablja MOSFETS za doseganje prevodne odpornosti<5m Ω. A certain type of AI server power supply adopts a synchronous rectification scheme controlled by LTC4359, with a voltage drop of only 56mV at 3A current and a full load efficiency of 98.5%, which is 6 percentage points higher than the diode scheme. The key design points include:
Nadzor mrtvega časa: Dobiva 50 -krat mrtvi čas skozi gonilni čip TPS28750, da se izognete navzkrižni prevodnosti
Parazitski optimizacija parametrov: uporaba 0402 upornosti embalaže za zmanjšanje induktivnosti svinca in zmanjšanje nihanja stikala
Optimizacija postavitve: Nadzirajte razdaljo med sinhronim MOS tranzistorjem in sekundarnim navijanjem transformatorja znotraj 2 mm, da zmanjšate impedanco ožičenja
2. Arhitektura aktivnega mostu
Tradicionalna popravljanje diodnega mostu ustvari 1,4 V padec napetosti v vezjih PFC, kar ima za posledico izgubo energetske učinkovitosti. Brezplačna PFC topologija Totem Poljaka zmanjšuje izgube prevodnosti za 60% z odpravo vhodnih diodnih mostov. Določena vrsta 6KW komunikacijskega napajanja uporablja CAS120M12BM2 silicijevega karbida MOSFET za konstrukcijo totemskega pola PFC, ki dosega stabilno delovanje v načinu CCM pri 98 -odstotni učinkovitosti, kar zmanjšuje količino za 40% v primerjavi s tradicionalnimi raztopinami.
3. Optimizacija absorpcijskega omrežja
Napetostni konici, ustvarjeni z obratnim obnavljanjem diod usmernikov, vodi do dodatnih izgub. Optimizirajte parametre absorpcije RC z uporabo metod testiranja:
Izmerite frekvenco nihanja F0 (npr. . 1.2 mHz)
Vzporedni kondenzator C zmanjšuje frekvenco na 0,6MHz
Izračunajte parazitsko induktivnost l =1/(4 π² f0 ² c)
Določite upornost na podlagi R=√ (l/c) (tipična vrednost 10-100 Ω)
Določena vrsta fotovoltaičnega pretvornika zmanjšuje izgubo diode z 8,2 W na 5,7 W in s to metodo izboljša učinkovitost za 2,8%.
3, Sodelovanje na sistemski ravni: Izdelava učinkovitega energetskega ekosistema
1. razširjena arhitektura napajanja
V velikih podatkovnih centrih se skupaj z porazdeljenim napajalnim modulom (PSU) uporablja 48V DC vodilo, da se konzervirano povezavo približa do točke obremenitve. Določena vrsta superračunalniškega centra zmanjšuje dolge - izgube prenosa razdalje skozi to arhitekturo in s pomočjo sinhronega rektifikacijskega PSU doseže skupno energetsko učinkovitost 94,2%, kar je 7 odstotnih točk višjih od tradicionalne arhitekture 400V AC.
2. čip za upravljanje inteligentnega padca tlaka
TI TPS2419 čip dinamično prilagodi napetost vrat sinhronega MOS tranzistorja s spremljanjem obremenitvenega toka v resničnem - (z natančnostjo ± 1%) in tako zagotovi, da se padec prevodne napetosti vedno vzdržuje pri optimalni vrednosti. Pri določeni vrsti napajanja na 5G baznih postajah ta tehnologija izboljša učinkovitost svetlobe za 8%, učinkovitost polne obremenitve za 2%in zmanjša letne emisije ogljika za 12 ton.
3. Digitalna optimizacija dvojčkov
Simulacijska platforma ADI LTSPICE v kombinaciji z algoritmi strojnega učenja lahko napoveduje porazdelitev izgub diode v različnih obratovalnih pogojih. Zasnova napajanja določene vrste podmornic optičnih kablov podmornice optimizira izbiro naprav s to tehnologijo, kar zmanjša skupne izgube za 18% in stroške vzdrževanja za 40% v 10-letni življenjski dobi.