Napajalni MOSFET 10N60

PODATKOVNI LIST Power MOSFET 10N60,10N60:

Lastnosti

Nizek RDS (vklopljen)

Nizek naboj vrat (tip. Qg=31,4 nC)

100 % UIS testirano

Skladno z RoHS

Aplikacije

Korekcija faktorja moči.

Preklopni napajalniki.

LED gonilnik.

Absolutne največje ocene

10N60 MOSFET: visoko zmogljivi močnostni tranzistorji

10N60 MOSFET je visoko zmogljiv močnostni tranzistor, ki je izdelan z uporabo napredne planarne tehnologije VDMOS. Posledica tega je naprava, ki nudi nizek prevodni upor, vrhunsko preklopno zmogljivost in visoko lavinsko energijo.

Ena od ključnih značilnosti tega MOSFET-a je njegov nizek RDS(on), ki pomaga zagotoviti učinkovit prenos moči z zmanjšanjem izgub moči. Poleg tega ima nizek naboj vrat (tipično Qg=31,4 nC), kar pomeni, da ga je mogoče preprosto krmiliti z nizkonapetostnim signalom.

Da bi zagotovili optimalno delovanje in zanesljivost, je vsak 10N60 MOSFET 100 % testiran za UIS (Unclamped Inductive Switching), da se zagotovi, da lahko varno prenese visokonapetostne prehode in zaščiti pred poškodbami zaradi nepričakovanih napetostnih konic.

10N60 MOSFET je skladen z RoHS, kar pomeni, da ne vsebuje nevarnih materialov in izpolnjuje okoljske standarde, ki jih je določila Evropska unija.

Na splošno je 10N60 MOSFET odlična izbira za široko paleto aplikacij visoke moči, kot so napajalniki, krmiljenje motorjev, visokofrekvenčni pretvorniki in druge industrijske aplikacije. S svojo vrhunsko zmogljivostjo in zanesljivostjo vam bo ta MOSFET zagotovo pomagal doseči optimalne rezultate pri projektih močnostne elektronike.

FRQ:

V: Kako dolgo traja vaš čas dostave?

O: Splošni dobavni rok je 1-3 tednov po prejemu potrditve naročila. Poleg tega, če imamo blago na zalogi, bo trajalo samo 1-2 dni.

V: Ali nudite vzorec? Je zastonj?

O: Če je vzorec nizke vrednosti, vam bomo zagotovili 20-30 kosov za testiranje.

Priljubljena oznake: Power MOSFET 10N60, Kitajska, dobavitelji, proizvajalci, tovarna, distributerji, ponudba, inventar, Shenzhen, OEM, na zalogi